i l u r e )、p-n 接面(p-n junction) 上的细菌( b a c t e r i a )会导致接面漏电流(junction leak)、 碱金属 ( alkaline metal ) 易造成介电质崩溃强度[崩溃电压] (dielectric breakdown) 的降低、 ..
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We developed a novel DRAM cell transistor with asymmetric source and drain junction profiles which can dramatically reduce junction leak and suppress the short channel effect.
针对PN节的漏电流,我们通过研究开发出一种新颖的MOS器件,这种器件在源漏端具有不对称的PN节,不仅可以有效地减小PN节的漏电流,而且能有效地抑制短沟道效应。
参考来源 - CMOS工艺中提高DRAM保持时间的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
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