1．3．4结终端扩展（JTE）和表面变掺杂技术（VLD）技术 结终端扩展（JTE）是一种在重掺杂区一侧掺杂而增加电荷的方法“”。借助离子注入技术增加电荷的情形，可精确获得所需电荷。
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至今 测试与评估杂志（Journal of Testing and Evaluation, JTE）：1973.1 - 至今 水泥，混凝土和骨料杂志（Journal of Cement，Concre...
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简单地介绍了几种提高器件击穿电压的技术途径,包括场屏蔽板(FP)、浮置扩散保护环(FGR)、结终端延伸(JTE)和表面电场平衡(SFE)。最后就结构参数,材料参数和器件性能对三种基本结构进行了比较。
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