...电阻在100Ω至1MΩ之间可选用晶体管，源电阻在1k Ω至1MΩ之间可以选用运放，源电阻在1k Ω至1GΩ之间多采用结型场效应管（JEFT），源电阻超过1MΩ也可选用MOSFET。 由于所选红外光电管的输出电阻为20kΩ,因此选用晶体管、运算放大器、结构场效应管均可。
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IGBT在N-基区(23)正面设置N+扩散残留层(29)，提高了N型正面的离子掺杂浓度，降低了结型场效应晶体管(JEFT)电阻的影响，从而有效降低IGBT的导通压降，同时对IGBT的正向阻断电压(耐压)的影响降低到最小。
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