利用现场水汽生成(in-situsteamgeneration,ISSG)退火这种新型的低压快速氧化热退火技术,在对沉积二氧化硅薄膜热退火的同时进行补偿氧化生长,最终实现了沉...
基于16个网页-相关网页
集成电路及集成电路的制造方法-建筑采矿 IPC分类 H01L 21/82、H01L 21/316、H01L 27/04、H01L 29/78 - 专利信息平台 | 我们致力于提供专业的专利信息交流服务平台！ 08840#08-09 ODC 城通关道30号 发明（设计）人 董忠、陈计良、陈庆华 摘要 本发明揭示一种利用现场蒸气产生技术（in-suit steam generation，ISSG）以降低硅及氧化硅区域中的氮浓度，且提供可预期的氧化硅厚度。 去 Sopatent 察看专利全文
基于4个网页-相关网页
应用推荐