...质结构之 2DES 样品的高频磁传输特性，我们观察到：(1) 低磁场下的 Shubnikov-de Haas 振荡与较高磁场中的整数量子霍尔效应(IQHE)； (2)位于 IQHE plateau中心位置附近的局域长度(ξ )与对应其中心位置的磁场变化 量有著特殊的相对应关系 ξ ∝ | B - Bi |b，且...
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von Klitzing在MOSFET发现二维导电载体的整數量 子霍尔效应(Integer Quantum Hall Effect, IQHE) 1998年諾贝尔物理奖：发现異质接面(HEMT, high mobility transistor...
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IQHE PLATEAU 在整数量子霍尔效应平台
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