但这又导致阈值下泄漏电流（IOFF）和静态功
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为亚泊松分布；同时能抑制空穴注入流又能降孕妇瑜伽低关态电流（Ioff），以此加深广场的市民文化特色。
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因此本论文将迸一步研究注入角度变化对器件电特性参数的影响Vth （阙值电压），Ioff（关闭电流），Ion（开启电流），Rs（层电阻），Vbd（击穿电 压），以及从实际的产品制程中，如何利用现有测试分析仪器手段预测注入角度 对器...
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高K材料和金属栅极配合，可以获得高驱动电流（Ion），漏电电流（Ioff）变得很小，晶体管的效率大为提高。目前AMD和IBM也在联合研制45nm工艺制程，但还没有进一步的消息。
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