...堆叠层无法满足越来越严苛的要求, 例如众所皆知的传统 CVD 氮化矽含有大量的本体陷阱(Bulk Traps)及界面陷阱 (Interface Traps), 此导致严重的可靠度问题及大量的 Frenkel-Poole 漏电流 (2-5) 。
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interface-traps 界面陷阱
interface traps charge 界面陷阱电荷
radiation2induced interface traps 辐射感生界面陷阱
new generated interface traps 氧化层体陷阱
radiation-induced interface traps 辐射感生界面陷阱
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