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ingaas

网络释义专业释义

  铟镓砷

2009年，夏普公司基于独家技术成功的提高了转换效率，提至35.8%，InGaAs（铟镓砷）作为底层。

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  砷化铟镓

...在要求探测上升时间(探测器信号从峰值10%上升到峰值90%所需的时间)极快的电信应用中，通常使用砷化铟镓(InGaAs)作为探测器材料。

基于679个网页-相关网页

  铟砷化镓

由FBH的研究人员开发的转移衬底工艺采用铟砷化镓(InGaAs)作为晶体管有源区材料。首先,在衬底晶圆上生长非常薄的磷化铟和InGaAs层。

基于226个网页-相关网页

短语

InGaAs PIN 铟镓砷PIN管

InGaAs Detectors 铟镓砷探测器

InGaAs APD 雪崩光电二极管 ; 铟镓砷雪崩二极管

InGaAs infrared detector 红外光电探测器

InGaAs-APD 雪崩二极管

InGaAs base InGaAs基区

InGaAs channel 砷化镓铟沟道

InGaAs detector InGaAs探测器

mode NIR InGaAs APD die 线性近红外铟镓砷APD裸片

 更多收起网络短语
  • 铟镓砷 - 引用次数：3

    参考来源 - 非致冷红外探测材料InGaAs的生长和性质研究
    键合介质 - 引用次数：1

    参考来源 - 硅基1.55μm共振腔增强型探测器 Fabrication of 1.55μm Si
    单原子层 - 引用次数：1

    参考来源 - InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究 Research of InGaAs/InP Materials Grown by MOCVD

·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress

双语例句

  • The Quad PD Arrays consist of four photodiodes monolithically integrated on a common indium phosphide (InP) substrate, and are fabricated using a low FIT rate InGaAs/InP semiconductor process.

    方形光二极管阵列包括四个集成在通用磷化铟（InP）衬底上的光二极管单片集成电路，采用低制造、集成与测试率的铟镓砷化物/磷化铟半导体工艺制造。

    youdao

更多双语例句
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- 来自原声例句
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