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ingaas

网络释义专业释义

  铟镓砷

2009年，夏普公司基于独家技术成功的提高了转换效率，提至35.8%，InGaAs（铟镓砷）作为底层。

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  砷化铟镓

...在要求探测上升时间(探测器信号从峰值10%上升到峰值90%所需的时间)极快的电信应用中，通常使用砷化铟镓(InGaAs)作为探测器材料。

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  铟砷化镓

由FBH的研究人员开发的转移衬底工艺采用铟砷化镓(InGaAs)作为晶体管有源区材料。首先,在衬底晶圆上生长非常薄的磷化铟和InGaAs层。

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  砷化镓铟

Intel一直在研究将此刻普遍合用的形成晶体体管硅通道替换成某种化合物半导健康水平料，比如砷化镓铟(InGaAs)。今朝，此类形成晶体体管施用的是没有栅极媒质的肖特基栅极(Schottky gate)，栅极漏电现象非常紧张。

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短语

InGaAs PIN 铟镓砷PIN管

InGaAs Detectors 铟镓砷探测器

InGaAs APD 雪崩光电二极管 ; 铟镓砷雪崩二极管

InGaAs infrared detector 红外光电探测器

InGaAs-APD 雪崩二极管

UV InGaAs 铟钾砷

InGaAs base InGaAs基区

InGaAs detector InGaAs探测器

InGaAs channel 砷化镓铟沟道

 更多收起网络短语
  • 铟镓砷 - 引用次数：3

    参考来源 - 非致冷红外探测材料InGaAs的生长和性质研究
    键合介质 - 引用次数：1

    参考来源 - 硅基1.55μm共振腔增强型探测器 Fabrication of 1.55μm Si
    单原子层 - 引用次数：1

    参考来源 - InGaAs/InP材料的MOCVD生长研究 Research of InGaAs/InP Materials Grown by MOCVD

·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress

双语例句

  • The Quad PD Arrays consist of four photodiodes monolithically integrated on a common indium phosphide (InP) substrate, and are fabricated using a low FIT rate InGaAs/InP semiconductor process.

    方形光二极管阵列包括四个集成在通用磷化铟（InP）衬底上的光二极管单片集成电路，采用低制造、集成与测试率的铟镓砷化物/磷化铟半导体工艺制造。

    youdao

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