• 杂质浓度 - 引用次数：1

  Both the simulation result and the calculation result show if the breakdown voltage exceeds 2000V, the I layer thickness will demand 200um and the impurity density will need 4×10~(12) /cm~(-3).

  计算结果和模拟结果表明对于反向击穿电压大于20007的PIN二极管,Ⅰ区厚度取200um,杂质浓度取4×10~(12)/cm~(-2),可以满足设计要求。

  参考来源 - 微波PIN二级管的设计与制备工艺研究

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