一、引 言 碰撞雪崩渡越时间 ( IMPATT )二极管(以下简称崩越二极管)是雪崩倍增效应和渡越时间效应两个物理过程所形成的相位延迟的负阻有源器件’‘’。
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用离子注入工艺在普通的硅雪崩渡越时间(IMPATT)结构中加入第二个补充的漂移区,结果在毫米波范围内的性能得到很大改进:在50千兆赫下,一个双漂移二极管能输出1瓦的功率,效率在14%...
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正 一、引言 碰撞雪崩渡越时间二极管 ( IMPATT )是当二极管反向偏置到雪崩击穿状态时,由于存在载流子的碰撞电离和渡越时间两个物理过程,而使交流电流和交流电压间产生了大于90°...
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IMPATT diode 冲渡二极体 ; 二极管 ; 雪崩二极管 ; 碰撞雪崩渡越时间二极管
oscialltor IMPATT 振荡系统
impatt diodes 雪崩二极管
Silicon-IMPATT 硅崩越二极管
impatt devices 崩越器件
impatt injection 雪崩注入
IMPATT amplifier 碰撞雪崩滤越时间放大器
ddr impatt diode 双漂移崩越二极管
Schottky barrier IMPATT diode 肖特基势垒崩越二极管
After this, we analyzed and computed several microstrip resonators with ADS, making impedance match between the resonator and IMPATT diode.
然后利用ADS软件对几种微带谐振器进行了分析和计算，使雪崩二极管的负载阻抗与其匹配。
In this paper the design and development of 8mm pulsed IMPATT source are introduced, the unique IMPATT properties which affect the oscillator spectral purity and coherency are discussed.
本文介绍了八毫米雪崩管脉冲振荡源的设计及研制，讨论了影响振荡源频谱纯度和相干性的独特的雪崩管特性。
Taking the effects of space charge and carrier diffusion as well as injected current pulse width into account, an analytic expression of a transit angle of 8 mm Si DDR IMPATT diode is derived.
在考虑载流子的空间电荷效应、扩散效应和注入电流脉宽情况下，推导了双漂移崩越二极管的渡越角表达式。
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