基于传统三五族(III-V)直接带隙半导体材料磷化铟(化学式：InP)基分布式反馈激光器(英文名称：DistributedFeedbackLaser，简称：DFB)的高速光模块，由于...
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...奈米FinFET技术门槛，比利时微电子研究中心(IMEC)正快马加鞭研发下世代电晶体材料与电路互连技术，将以矽锗(SiGe)或三五族(III-V)材料替代矽方案，并透过奈米线(Nanowire)或石墨烯技术实现更细致的电路成型与布局。
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group iii v semiconductor 族半导体
III V III 稀有小号
III-V materials 三五族材料
III- V 较大分流
iii-v semiconductor iiiv半导体
iii-v化合物 iii v semiconductor
Si or GaAs III-V group 轮适用各种半导体材料
III-V compound semiconductor 三五族半导体
iii-v compound semiconductors 族化合物半导体
In the framework of the colloidal chemistry approach, high quality nanocrystals of different II-VI and III-V semiconductor materials can now be obtained.
在胶体化学进展的框架下，现已获得不同II-VI型和III-V型半导体材料的高质量纳米晶。
Luxtera's design eliminates the need to use expensive group iii-v compounds, such as gallium arsenide (GaAs) and indium phosphate (InP), in the semiconductors.
Luxtera的设计消除了使用昂贵的III - V化合物半导体材料(如砷化镓和磷化铟)的必要。
The results of this work show that non-planar, multi-gate device architecture is an effective way to improve the scalability of III-V QWFETs for low power logic applications,’’ according to the firm.
本文显示立体型多栅结构可有效提升低功耗逻辑用III-V族QWFET管子的尺寸缩微能力。
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