...转)漏电流(ISUB) 主要 供电电压 门阈值电压 温度 通道长度 降低内核电压 提高电压阈值 增加逻辑门长度 栅极导致漏极漏电流(IGIDL) 小 逻辑门氧化物厚度 供电电压 双门氧化 栅极直接沟道漏电流(IG) 小 逻辑门氧化物厚度 供电电压 双门氧化 反偏结漏电流(IREV) 可...
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通过利用费米能级钉扎作用，我们已经减少了沟道掺杂浓度，并，甚至反向体偏置条件下抑制栅极感应漏极泄漏（IGIDL）。共有待机漏电流（Isubth + IGIDL + IG）1.4/0.32尼龙/微米减少到VDD = 0.8 V，VB =±1 V，这是最小的值曾报道的65纳米节点LSTP。
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...压 提高电压阈值 延长栅极长度 掺杂参数优化 栅极直接沟道泄漏电流 (IG) 主要 高k金属逻辑门(HKMG) 栅极感应栅极泄漏电流 (IGIDL) 小 掺杂参数优化 反向偏压结泄漏电流 (IREV) 可忽略 掺杂参数优化 表1.
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