为实现掺混一种常用的技术是由无杂质空位扩散（IFVD）其中的密封剂沉积的样品的表面上，然后加热到高温，以启动相互扩散过程。
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采用光荧光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)的方法研究了由Si_3N_4和SiO_2电介质膜的无杂质空位诱导(IFVD)的InGaAs/InP多量子阱(MQWS)结构的带隙蓝移 ..
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