IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。
1．3．6电子注入增强栅晶体管（IEGT） 电子注入增强栅晶体管（Injection EnhancedGateTransistor）是人们针对 IGBT器件的缺点，新开出的～种MOS栅结构的电力电子器件。
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参考文献： 【1】1翁寿松，毛立平．4500V注入增强门极晶体管（IEGT）田． 世界产品与技术／ECN，2002（2）：32—34． ［2】胡占民，陈听雨，郑斌．TMdrive一70交流变频装置在韶钢 高速轧机上的应用阴...
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IEGT bridge arm modification IEGT桥臂改造
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