建立了一个改进的铁电场效应晶体管模型，并利用该模型研究了两种界面对铁电场效应晶体管C-V特性、漏电流-栅源电压（ID-VGS）和漏电流-漏源电压(ID-VDS)特性的影响。两种界面包括金属电极与铁电层之间的界面层和绝缘层与半导体衬底之间的SiO2层。
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...也表明，的MFMIS-FET的使用Pt / BLT（150nm的）/ Pt/SiO2（9纳米）/ Si的结构有磁滞现象由于在漏极电流 - 栅极电压特性（ID-VG）的强电介质的BLT膜。观察到的阈值电压漂移是3V和数据保持特性优异，展示了该设备的SI / SF 15的面积比率。
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ID-VG characteristics 电流转移特性
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