根据MOSFET的转移特性（ID-VGS），可分为导通区和截止区；根 据MOSFET的输出特性（ID-VDS），可分为线性区、非饱和区和饱 和区。
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Fig4.7 The Id -dependence of Vds with different temperature.
图4.7 在不同的温度下的源漏电压的关系曲线。
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