...面贴一层保护膜层，如光刻胶PR， 二氧化硅SiO2，氮化硅 Si3N4或金属镍Ni；然后利用黄光光刻和电感偶合式反应离子刻蚀机(ICP-RIE)使用反应离子化学刻蚀的方法将反应气体(如氯气、三氯化硼及甲烷等)选择性的刻蚀透明电极表面，达到使透明电极表面形成光子晶体结...
基于94个网页-相关网页
与单层的二氧化硅的纳米粒子作为蚀刻掩模，将GaAs衬底由诱导耦合等离子体反应性离子蚀刻机（ICP-RIE）进行蚀刻，以形成具有高纵横比的砷化镓纳米线。的GaAs纳米线的直径和长度分别为70 nm和1.2微米，。
基于24个网页-相关网页
通过电子束曝光技术(EBL) 和感应耦合离子刻蚀技术(ICP-RIE) 在已有的器件的出光孔10 内的上DBR 3 的端面上刻蚀出一定深度的光子晶体空气孔11 制作出多孔缺陷型光子晶体
基于10个网页-相关网页
应用推荐