微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECRCVD)和热丝化学气相沉积(HWCVD)是制备a-Si：H薄膜的两种重要方法，MWECRCVD产生的等离子体具有能量转化率高、气体分解充分、激发态物种和基团浓度高等优点；HWC...
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（6）热丝化学气相沉积（HWCVD） 热丝化学气相沉积（HotWireChemical VaporDeposition，HWCVD）简称热丝 法，最初主要用于制备金刚石薄膜，近年来也被用于制备非...
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氢化硅薄膜的制备、特性及器件研究 - docin.com豆丁网 生长。该 方法已经用于制备Si，SiN，SiC等的粉体材料。 （6）热丝化学气相沉积（HWCVD） 热丝化学气相沉积（HotWireChemical VaporDeposition，HWCVD）简称热丝 法，最初主要用于制备金刚石薄膜，近年来也被用于制备非晶硅，纳米晶化硅薄 膜或颗粒的沉积。它
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...O 薄膜性质的影响 在第五章 我们介绍了目前正在进行的工作 即利用热丝化学汽相沉积(Hot Wire Chemical Vapor Deposition, HWCVD)技术制备硅薄膜的初期工作 最后对今后的工作进 行了展望 参考文献 [1] Patrick van V...
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HFCVD or HWCVD 热丝化学气相沉积法
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