氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描...
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一种半导体化合物材料，优选III-N块体晶体或III-N层，其借助于氢化物气相外延法(HVPE)在反应器中制得，其中在载气混合物中，在所述反应器中形成由局部质量流率表示的流量曲线。
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Further growth of continuous compound semiconductor thick films (15) or wafer is achieved by epitaxial lateral overgrowth using HVPE.
通过使用HVPE的外延横向过生长实现连续的化合物半导体厚膜(15)或晶片的进一步的生长。
A method utilizes HVPE to grow high quality flat and thick compound semiconductors (15) onto foreign substrates (10) using nanostructure compliant layers.
一种方法，其使用纳米结构柔性层，利用HVPE在异质衬底(10)上生长高质量的平且厚的化合物半导体(15)。
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