虽然SiC、蓝宝石以及硅材料都可以用作基底，但更关注采用高温化学气相沉积法(HTcVD)在Si(：基底上生长大量晶体。基底直径扩展是确保技术成熟与高费效比的关键。
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学术论文：FeCo基纳米晶软磁薄膜材料的制备及性能研究(可编辑文本) - docin.com豆丁网 ttering）和电弧离子镀沉积（AIP，Arc Ion Plming）等，而化学气相沉积主要可分 为高温化学气相沉积（HTCVD，HighTemperature Chemical VaporDeposition）、中 温化学气相沉积（MTCVD，ModerateTemperature Chemical Vapo
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