...法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半绝缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。
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半导体研究所在大直径Si-GaAs单晶生长工艺技术的研发方面取得了突破性进展，用高压液封直拉(HPLEC)方法研制出我国第一根直径5英寸半绝缘砷化镓(Si-GaAs)单晶，晶体重量6.5公斤，晶体直径13.2~13.8厘米，等径部分大于6.5厘米。
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