...载 【技术实现步骤摘要】 本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。技术介绍高K金属栅极(HKMG)技术和嵌入式锗硅技术(简称锗硅技术)是半导体领域的重要技术。
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...奈米跑在最前面、台积电28奈米今年底小量试产，估计技术领先同业约一年；而格罗方德和三星已经展开28奈米高介电金属闸极（HKMG）的技术合作，正式量产约要到明年第三季。
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另外台积电持续推动先进制程的进度，将为闳康带来成长局势，以近期28奈米从Poly-SiON闸极堆叠转往HKMG(高介电常数金属闸极)，就带动闳康营收成长格局，随著台积电从20奈米前进16奈米，闳康2年内营运都将高度受惠。
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当金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件按比例缩小到50nm以下时，要求基于高-k金属栅(HkMG)的栅堆叠，以解决因多晶硅栅电极耗尽引起的栅漏电流大和栅电容减小的问题。
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In addition, Elpida will continue to evaluate and improve HKMG in order to apply the technology at the 30nm and 25nm nodes.
另外，尔必达还将继续评估将HKMG技术应用到其30/25nm节点制程的可能性。
Elpida plans to apply HKMG technology to produce faster and more energy efficient Mobile RAM devices, the company's mainstay product area.
尔必达还计划在其更多的高速/节能型移动内存芯片产品上推广HKMG技术。
The technology will be based on a planar process with enhanced high-K metal gate (HKMG), novel strained silicon, and low-resistance copper ultra-low-K interconnects.
该技术将基于一个具有增强的高- k金属闸（HKMG平面工艺），新型应变硅，低电阻铜超低K互连。
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