该制程采用氧化镧(lanthanum oxide ,LaOx)及氧化铝(aluminum oxide AlOx) 高介电值覆盖层( High K Cap layers),使得32纳米high k金属闸极堆叠采用单一金属，而不是之前CMOS所需要的两种不同的金属。
基于16个网页-相关网页
high k cap layers
高k帽层
以上为机器翻译结果，长、整句建议使用 人工翻译 。
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动