high electron mobility transistor 高电子迁移率晶体管 ; 高速电子迁移率电晶体 ; 高电子移动性晶体管 ; 晶体管
pseudomorphic high electron mobility transistor 高电子迁移率晶体管
high-electron-mobility transistors 迁移率晶体管 ; 高电子迁移率晶体管
high-electron-mobility 高电子迁移率
high electron mobility devices 高电子迁移率器件
gan high electron mobility transistor gan高电子迁移率晶体管
high electron mobility transistor hemt 高速电子迁移率晶体管
HEMT High Electron Mobility Transistor 高电子迁移率晶体管
gan high electron mobility transistors gan高电子迁移率晶体管
High electron mobility transistors (HEMT) is one of field effect transistors, which is made by modulation doped heterostructure technology and possess super high electron mobility.
高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用异质结和调制掺杂技术制成的具有超高迁移率的场效应晶体管。
Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT).
在变缓冲层高迁移率晶体管（MM_HEMT）器件中，二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用。
High - Electron Mobility Transistor?
高电子活动性晶体管HEMT ？
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