早在今年1月29日，IBM和索尼、东芝等研究伙伴就宣布开始投入“高电介质金属栅极”(High-K Mental Gate)的研究。作为IBM的合作伙伴，AMD此前曾表示他们仍在研究再45nm工艺中引入高电介质金属栅极方案的可能性。
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high-k mental gate
高k心理门
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