本项目实验上，选取高Z金属铅（Pb）作为单元素靶，选取氮化镓（GaN）、碲镉汞（HgCdTe）作为复合材料靶，利用双脉冲激光诱导固体靶产生激光等离子体，采用高精度时间空间分辨测量技术探测等离子体发射谱，通过对发射谱...
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HgCdTe photoconductor 碲镉汞光电导体
PV-type HgCdTe detector PV型HgCdTe探测器
HgCdTe film 碲镉汞薄膜
HgCdTe crystal HgCdTe晶体
HgCdTe wafer HgCdTe晶片
HgCdTe epilayers HgCdTe外延薄膜
HgCdTe photodiode 碲镉汞光电二极管
HgCdTe thin film HgCdTe薄膜
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Fabrication of mercury cadmium telluride (HgCdTe) devices has always been a challenging task due to sensitive nature of the material.
由于材料性质比较敏感，碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的任务。
While in HgCdTe with high dislocation density, the arsenic distribution is complex, exhibiting multi component exponential distribution.
而在缺陷密度比较大的碲镉汞材料中，砷的分布呈多段指数型分布，表现出更复杂的多机制扩散特性。
The study of the infrared focal plane array based on the narrow gap semiconductors HgCdTe is a hot topic in the field of advanced infrared optoelectronics.
窄禁带半导体碲镉汞红外焦平面列阵研究是当代红外光电子技术的前沿。
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