本项目实验上，选取高Z金属铅（Pb）作为单元素靶，选取氮化镓（GaN）、碲镉汞（HgCdTe）作为复合材料靶，利用双脉冲激光诱导固体靶产生激光等离子体，采用高精度时间空间分辨测量技术探测等离子体发射谱，通过对发射谱...
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HgCdTe photoconductor 碲镉汞光电导体
PV-type HgCdTe detector PV型HgCdTe探测器
HgCdTe film 碲镉汞薄膜
HgCdTe crystal HgCdTe晶体
HgCdTe wafer HgCdTe晶片
HgCdTe epilayers HgCdTe外延薄膜
HgCdTe photodiode 碲镉汞光电二极管
HgCdTe thin film HgCdTe薄膜
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The drive force of phase change for HgCdTe growth during recrystallization is briefly described.
简述了再结晶过程中晶粒长大的相变驱动力。
The result shows that the MSA is a technique suitable for distinguishing above both HgCdTe materials.
结果表明，利用迁移率谱技术可以很好地区分这两种碲镉汞材料。
Fabrication of mercury cadmium telluride (HgCdTe) devices has always been a challenging task due to sensitive nature of the material.
由于材料性质比较敏感，碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的任务。
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