高k材料由氮氧化铪硅（HfSiON）制造，它能够简单地利用氖离子植入形成，并利用较早的制造工艺对钛氮化物层进行最小限度的处理。
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美国德州仪器公司已宣布应用氮氧硅铪 (HfSiON) 作为高 k 介质材料方面取得了重大进展。英特 尔已试制了三门晶体管，该 晶体管采用了高介电率（high-k）的栅极绝缘膜、金属栅及...
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采用高k介质（SiO2的k为3.9，高k材料为20以上）如氧氮化铪硅（HfSiON），相当于提升栅极的有效厚度，使漏电电流下降到10%以下。打通了通往32纳米及22纳米的通路，扫清工艺技术中的一大障碍。
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