在本文中，第一次，我们提出高质量CVD氮氧化铪（HfOxNy）与传统的自对准多晶硅栅的MOSFET。这些CVD HfOxNy使用TDEAH（Tetrakisdiethylamino铪，C16H40N4Hf）和NH3保持900?
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HfOxNy thin films 氮氧化铪薄膜
HfOxNy thin films were deposited by radio frequency reactive magnetron sputtering onto multi-spectral ZnS substrates at different oxygen partial pressure.
用磁控反应溅射法在不同氧分压下制备了氮氧化铪薄膜。
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