要说已经出现最终解决方案，现在还为时过早，不过，IMEC 报告说，借由在 32nm CMOS 结点中采用铪基（hafnium-based）的高 K 值电介质和钽基金属栅极（tantalum-based metal gate），改善了其平面 CMOS 的性能。
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Specifically, the present invention provides a metal stack comprising a hafnium-based dielectric;
具体地，本发明提供的金属叠层包括：铪基介质；
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