由IBM、旺宏和奇梦达共同研制的PRAM采用了一种新型非易失性相变材料：锗锑合金（GeSb），在其中还掺入了少量其他元素以加强其性能。这一原型的转换速度比闪存快500倍，而写入数据的功耗却不到闪存的一半。
基于16个网页-相关网页
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动