...亮点：整个制粒过程完全在氩气保护下进行，氧含量低；5,应用：用于硅(Si)掺杂/晶圆；锑化铟单晶(InSb),锑化镓(GaSb),锑化锗(GeSb),发光二极管蒸镀料等..
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由IBM、旺宏和奇梦达共同研制的PRAM采用了一种新型非易失性相变材料：锗锑合金（GeSb），在其中还掺入了少量其他元素以加强其性能。这一原型的转换速度比闪存快500倍，而写入数据的功耗却不到闪存的一半。
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