该方法包括下列步骤：形成覆 于半导体衬底上之栅电极(gate electrode)(66)，以及于该半导体衬 底(36)中刻蚀第一沟槽(82)和第二沟槽(84)，该第一沟槽和第二 沟槽形成为对准于该栅电极(66)。
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(2) 单向能阻接触 ( Schottky Barrier Contact )， # g& r) b) G4 G (3)低阻闸电极 (Gate Electrode)，
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metal gate electrode 金属栅电极
transistor gate electrode 而晶体管闸极的电极 ; 而电晶体闸极的电极
in-plane gate electrode 共平面栅电极
Besides, the shift of theμFE is determined by the threshold voltage degradation. In dynamic gate pulse stress, while the pulse is applied to gate electrode.
在栅极施加电压脉冲应力条件下,实验分别考虑脉冲上升沿、下降沿、脉冲个数(周期)和基准电压对退化的影响,器件的转移曲线显示亚阈值区没有变化,呈现出热载流子退化的典型特征。
参考来源 - N型金属诱导横向结晶TFT交直流应力下的器件退化研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
The gate electrode is formed on the gate insulating film and has a sidewall.
栅极电极在栅极绝缘膜上形成，并具有侧壁。
So the name of a process became identified with the width of the gate electrode.
所以，制程的名字就用来标识闸电极的宽度。
A source region and a drain region are formed in the fin at the opposite sides of the gate electrode.
源区和漏区形成在鳍部内栅极的相对侧处。
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