...得注意之处,在于三星及全球晶圆采用的28纳米是基于前闸极(gate-first)技术,与台积电28纳米HKMG制程采用的后闸极(gate-last)不同。对上游客户来说,同一颗产品进行2种不同技术的设计,成本太高,所以现在面临的是要如何选择出最佳的晶圆代工伙伴。
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Gate-Last(后栅极)、Gate-First(前栅极)是实现HKMG结构晶体管的两大技术流派,它们的主要在于硅晶片漏/源区离子注入、高温退火和金属栅极形成的先后...
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...需一段时间,且格罗方德尚未从闸极优先(Gate-first),转成在28奈米高介电系数金属闸极(HKMG)制程上较具优势的闸极后制(Gate-last)制程,因此很难借此扩产动作,就直捣台积电的业务核心,仅能看作一项经营策略。
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...作内建应力纳米线的方法、制作半导体器件的方法、以及所述方法制作的NWFET半导体器件,本发明所述方法采用后栅工艺(Gate-last),在进行栅极区域刻蚀时,NWFET区域侧面已有无定形碳层保护,这时栅极区域的NW受到的反向应力方向是水平方向的,从而有效解决了美...
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On the contrary, he said that gate-first has several advantages over rival gate-last.
相反,他说,门一有几个优势超过对手大门的最后。
At the 2010 IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco next week, Samsung will present a paper on a rival technology: ''gate-last high-k/metal gate devices.''
不过, 令人 感到意外的是,在下周即将召开的2010年IEEE国际电子设备大会上,三星准备演讲的文章题目竟然是《gate-last工艺high-k金属栅设 备》。
Fast forward to last week's Apple Antenna-gate press conference.
时间回到到上周苹果“天线门”的发布会上。
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