... GaInAs gallium indium arsenide 镓铟砷 Gallium-arsenide 砷化镓 gallium aluminum arsenide 镓铝砷 ...
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Indium Gallium Arsenide 砷化铟镓 ; 铟镓砷化物
gallium arsenide [无化] 砷化镓
gallium arsenide laser [激光] 砷化镓激光器
gallium arsenide fet 砷化镓场效应晶体管
gallium arsenide diode [电子] 砷化镓二极管
gallium arsenide laser diode 砷化镓激光二极管
gallium arsenide logic 砷化镓逻辑
gallium arsenide logic gate 砷化镓逻辑门
Gallium Arsenide(GaAs) is important compound semiconductor material. It has high electron transfer rate and direct transition energy band structure.
砷化镓(GaAs)是一种重要的化合物半导体材料，具有电子迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点，适合于制造高频、高速、耐高温、抗辐射和发光器件。
参考来源 - 半绝缘砷化镓中微缺陷的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
Fujitsu points out that using GaN HEMT technology allows more than 6 times the output power of existing amplifiers using gallium-arsenide (GaAs) transistors.
富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后，新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。
Gallium arsenide, silicon, and germanium are all examples of semiconductors, the type of material used in virtually all modern electronics.
镓砷化物，硅，和锗元素都属于半导体，而如今半导体在所有的现代电子元件中都会用到。
Moreover, gallium arsenide is much more expensive than silicon in the first place.
另外，最重要的是，镓砷化物比硅贵得多。
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