在微波及毫米波频段里，砷化镓假形 高电子迁移率电晶体 ( GaAs PHEMT )在军事和商业通讯上的应用都是非常重要的三‧五族半导体元件。
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...站功放则主要用硅横向扩散金属氧化物半导体场效应器件(Si LDMOS)；微波毫米波功放主要用砷化镓配高电子迁移率晶体管(GaAs pHEMT)。但其它材料和器件结构也在参与激烈竞争，尤其是第三代半导体材料氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的出现带来了新的希望。
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砷化镓赝晶高电子迁移率器件
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
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