...加上没有切入车用市场，因此规模不大，但看好节能法规带动下，台厂可望切入AC/DC供应链，提高产值规模。 另外，由于砷化镓(GaAs)是半导体材料的一种，具有高频、抗辐射、耐高温等特性，可做为高频及无线通讯之IC元件，其中最主要应用在行动电话与无线网路产品...
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行 为 规 范 和 指 南 衡量审计活动的质量 保障审计目标的实现 美国公认审计准则（GAAS）： 一般准则 外勤准则 报告准则 专业胜任能力 独立性要求 谨慎性要求 审计计划及业务督导 确定审计范围和审计程序 获取审计...
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...可以被用作用于形成低功耗高速度晶体管的沟道的材料。高效率CMOS器件可以通过使用包含相比硅衬底具有更高电子迁移率的III-V族材料(例如GaAs)的半导体衬底和包含相比硅衬底具有更高空穴迁移率的半导体材料(例如锗)的半导体衬底形成。
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gaas fet 砷化镓场效应晶体管 ; 砷化镓场效应管 ; 场效应晶体管 ; 效应管
gaas laser 砷化镓激光器 ; 砷化镓注入式激光器
GaAs HBT 晶体管 ; 异质结双极晶体管 ; 砷化镓
gaas logic gate 砷化镓逻辑门
GaAs MESFET 晶体管 ; 场效应管 ; 金属半导体场效应管 ; 砷化镓金属化半导体场效应晶体管
GaAs MMIC 单片微波集成电路 ; 微波集成电路 ; 微波单片集成电路
gaas laser diode 砷化镓激光二极管 ; 砷化镓激光器
GaAs PA 功率放大器
GaAs thermometer 砷化镓温度计
At the moment, most of RF chips and ultra high-speed circuits are based on technologies such as GaAs, Bipolar Si, BiCMOS and so on.
目前射频芯片和高速光纤通信芯片绝大多数都是采用高速双极性硅工艺和砷化镓工艺。
参考来源 - 1.244GHz、0.25mm CMOS工艺可变分频比锁相环倍频器设计Using I-shaped geometric structure, we measured three PCAs with different photoconductive materials. In the experiment, we find that the THz radiation performance of the PCA with multi-layer grown GaAs material is comparatively better than others.
用工字型电极几何结构制作了三种不同半导体材料的光电导天线,结果表明,表面多层生长砷化镓材料的太赫兹波辐射性能较好。
参考来源 - 大孔径光电导天线及其太赫兹辐射特性研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
GaAs IC CAD system which developed on SUN workstation is introduced in this paper.
介绍了一个在SUN工作站上自主开发的砷化镓集成电路CAD系统。
Ideal for use for correcting gain shift from temperature fluctuations of GaAs amplifiers.
理想用于纠正从中砷化镓放大器的使用温度波动变化。
To obtain high quality semi-insulating GaAs wafers, it is necessary to decrease microscopic defect density.
为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片，有必要降低微缺陷密度。
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