建设内容：项目总占地面积400亩，产品为大直径区熔单晶硅(FZSI)。一期建成一条年产20吨大直径(4-6英寸)区熔单晶硅生产线，二期另建成四条产20吨大直径(4-6英寸)区熔单晶硅生产线，远期总生产规...
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We think that the excess carriers are generated from the lattice damage defects caused by the neutron irradiation, and may be affected by the as-grown defects of FZSi.
本文认为多余载流子的产生来源于中子辐照造成的晶格损伤缺陷，并与原始单晶缺陷有关。
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