沟道热电子注入（CHE）和隧道效应（Fowler-Nordheim）。沟道热电子注入（CHE）是目前Fllung burning whileh Memory行使最为渊博的编程方式。
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挥发性记忆体的全套技术,电路,,类技术资料 。穿隧介电层设置于通道区域和电荷陷入结构之间，并且在电荷陷入结构和闸极端点之间设置阻挡介电层。此外，更应用电场辅助(Fowler-Nordheim，FN)穿隧效应程式化规则。 8-BG60530 电荷陷入非挥发性记忆体的电荷平衡操作方法 版 9-BG
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Fowler-Nordheim Function 诺德海姆函数
Fowler-Nordheim tunneling current 电极隧穿注入电流
Fowler-Nordheim tunneling 电场协助隧穿
Fowler-Nordheim-like tunneling 类Fowler
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