由于P-N处结于SiO2层下面，不和背电极直接接触， 因而该P-N 结也被称为浮动结(floating junction)。PERF 电池的研究表明理想的浮动结 背钝化具有比SiO2 层更好的背钝化效果，具有更低的表面复合速率，开路电压达到720mV。
基于161个网页-相关网页
floating g junction 浮动结
floating input junction 浮动结
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
应用推荐
模块上移
模块下移
不移动