同时，在其他晶体管结构工艺方面，例如鳍式场效晶体管(FinFet)及高迁移率(high-mobility)元件，也展现了刷新记录的可行性(feasibility)指标结果。
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...他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。将根据由鳍场效应晶体管(FinFET)形成的静态随机存取存储器(SRAM)的实施例来描述本公开。然而，本公开的实施例也可应用于各种集成电路。
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triple-FinFET 三栅FinFET
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The method further includes determining a program state of the FinFET fuse.
上述方法还包括测定该鳍型场效应晶体管熔丝的一编程状态。
A method is described for fabricating and antifuse structure (100) integrated with a semiconductor device such as a FINFET or planar CMOS devise.
本发明提供了与如FINFET或平面CMOS器件的半导体器件集成的反熔断器结构(100)及其制造方法。
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