...— 热氧化层中重要的薄膜层有 闸极氧化层(gate oxide): 介于汲极与源极间上 方，连接汲极与源极 场氧化层(field oxide): 作为各元件间隔离之用 N-Silicon p + p + Gate Oxide Field Oxide 13 半导体制程氧化与薄膜沉积 热氧化层— 热氧化层由热...
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...所述P型衬底中作为所述静电放电装置的一部分； 至少一第一N+区域，其形成于所述N井外部，所述第一N+区域由场氧化物(field oxide)与所述N井及其内的区域、以及所述P型衬底中的其它掺杂区域绝缘； 至少一第一P+区域，其形成于所述N井外部，所述第一P+区域由场氧...
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field oxide isolator 场氧化绝缘层
field oxide region 场氧化区
field oxide implantation 场氧化层离子注入
Field-oxide device 厚氧化层元件 ; 厚氧化层组件
field-oxide gate 场氧栅
Field oxide layer 场氧化层
field oxide arena 场氧化区
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A related layer is the field oxide, which provides isolation from other device structures.
一个相关层是场氧化层，使其与其它器件结构分离。
The intention of the polysilicon tiles is to reduce erosion of the field oxide between closely spaced active regions.
所述多晶硅瓦片的用意是减少场效氧化物在紧密间隔的有源区之间的侵蚀。
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.
在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
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