因而在工艺中，常采用场区氧化 （Field oxidation）技术和场区注．K（Fieldimplantation）技术来避免这种现象的发 生，一般场区的氧化层厚度是正常MOS管栅氧化层厚度的3～10倍。
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START OF SOMETHING NEW Bartlett's oxidation of xenon by PtF6, shown here, sparked the field of noble-gas chemistry.
在这里显示的是，巴特利特用PtF6氧化氙，这鼓舞了稀有气体化学领域的研究。 图上部的字Xenon，意思是氙。
Both gate and field oxides generally are grown by a thermal oxidation process because only thermal oxidation can provide the highest-quality oxides having the lowest. interface trap densities.
这两个栅和场氧化层都是通过热氧化过程生长出来的，因为只有热氧化才可以提供具有低陷阱密度性能最好的氧化层。
In the field operation, can cause annealed wire diameter necked, surface scratch, red copper wire, copper wire color, copper wire oxidation and so on some phenomenon.
在现场操作中，会造成退火后线径变细、表面划伤、铜线发红、铜线变色、铜线氧化等一些现象。
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