Passage B Field Effect Transistors 场效应晶体管
Field-effect transistors 场效应晶体管 ; 场效应管 ; 引言场效应晶体管 ; 概述场效应晶体管
Field Effect Transistors FETs 场效应晶体管
Organic Field Effect Transistors 有机场效应晶体管 ; 有机场
mes field effect transistors mes场效应晶体管
Measuring methods for field-effect transistors 场效应晶体管测试方法
carbon nanotube field effect transistors 碳纳米管场效应管
High mobility P-channel power metal oxide semiconductor field effect transistors.
高迁移率的P -沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管。
The present invention relates to high performance three-dimensional (3d) field effect transistors (FETs).
本发明涉及高性能三维(3d)场效应晶体管(FET)。
High electron mobility transistors (HEMT) is one of field effect transistors, which is made by modulation doped heterostructure technology and possess super high electron mobility.
高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用异质结和调制掺杂技术制成的具有超高迁移率的场效应晶体管。
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