...本申请公开的一种衰减器电路结构包括由3个电阻组成的T型衰减电路,T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)作为开关,T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个FET作为开关。
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field-effect transistor 场效应管 ; 场效应晶体管
Junction Field Effect Transistor 结型场效应管 ; 场效应晶体管 ; [电子] 结型场效晶体管
insulated gate field effect transistor [电子] 绝缘栅场效应晶体管
tetrode field effect transistor 四极场效应晶体管
unipolar field effect transistor [电子] 单极场效应晶体管
gallium arsenide field effect transistor 砷化镓场效应晶体管
multichannel field-effect transistor [电子] 多沟道场效应管
Depletion mode field effect transistor [电子] 耗尽型场效应晶体管 ; 耗尽模式场效应晶体管
Fin Field-Effect Transistor 鳍式场效晶体管
Through the experiment with the circuit's thermal drift, of TYZ-3 intelligent soil nutrition gauge, J-type field effect transistor(JFET) was found as the major cause of circuit's thermal drift. The thermal drift varied according as the different grid voltage.
在其基础上发现场效应管是引起温度漂移的主要原因,而且不同的栅极电压下的温度漂移也不相同。
参考来源 - TYZ·2,447,543篇论文数据,部分数据来源于NoteExpress
A field effect transistor and a method of fabricating the field effect transistor.
场效应晶体管以及制造场效应晶体管的方法。
The invention is applied to improving the manufacture efficiency of the field effect transistor.
本发明应用于提高场效应晶体管的制造效率。
Its structure is the same as a conventional metal insulator semiconductor field effect transistor (MISFET).
它的结构与普通金属—绝缘体—半导体场效应晶体管(MISFET)基本相同。
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