早期非晶硅局限于逻辑开关与低分辨率面板的应用，低温多晶硅薄膜晶体管凭借着较高的载流子迁移率(Field Effect Mobility)，可以适当集成驱动电路于面板中，连线信号的减少降低外贴驱动IC、电路板面积与周边零组件的使用，减小了面板整体重量与体积，而...
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This is why the single crystal pentacene based OTFT has higher field effect mobility than the polycrystalline device.
这也就解释了单晶otft器件具有比多晶器件更高的场效应迁移率的原因。
High electron mobility transistors (HEMT) is one of field effect transistors, which is made by modulation doped heterostructure technology and possess super high electron mobility.
高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用异质结和调制掺杂技术制成的具有超高迁移率的场效应晶体管。
High mobility P-channel power metal oxide semiconductor field effect transistors.
高迁移率的P -沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管。
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