field-effect transistor 场效应管 ; 场效应晶体管
field effect transistor [电子] 场效应晶体管 ; 场效电晶体 ; 场效晶体管 ; 体管
Junction Field Effect Transistor 结型场效应管 ; 场效应晶体管 ; [电子] 结型场效晶体管
field effect technology 场效应技术 ; 场效应技巧 ; 场效应技能
insulated gate field effect transistor [电子] 绝缘栅场效应晶体管
field effect device 场效应掐 ; 场效应装置
slot field-effect transistor 沟道场效应晶体管
field effect tetrode 四极场效应晶体管 ; [电子] 场效应四极管
tetrode field effect transistor 四极场效应晶体管
The peak field-effect mobility of 18.1cm2/(Vs) for 5 μ m device is achieved.
从转移特性提取的峰值场效应迁移率为18． 1cm2／(Vs)。
参考来源 - 4H·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
A voltage controlled linear resistor which consists of only two field-effect transistors (FET) is presented.
本文提出了一种用两个场效应管实现的压控线性电阻电路。
Semiconductor diodes bipolar junction transistors field-effect transistors transistor amplifiers frequency response operational amplifiers differential and multistage amplifiers integrated circuits.
半导体、二极体、双极电晶体、场效电晶体、电晶体放大器、频率响应、算放大器、差动及多极放大器、积体电路。
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.
在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
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