这种铁电存储器主要有两种：非挥发性铁电随机存储器 （FRAM）和铁电场效应管（FFET）。其中，尤以非挥发性铁电随机存储器是最有 可能取得突破的一种工作方式。
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Due to the advantage of non-destruction read out, Ferroelectric Field Effect Transistor (FFET) is supposed to be the ideal potential memory device and has been widely investigated.
铁电场效应晶体管（FFET）存储器能够实现非破坏性读出，是一种比较理想的存储方式，因此从一开始就受到人们极大的关注。
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