... 铁电随机存储器（FRAM）、移相器、滤波器 光波导、光调制器、光全息存储器 声光偏转器 光学倍频器 铁电随机读写存储器（FeRAM）是公认的下一代最具有潜力的存储器之一。在 计算机、航空航天和军工等领域应用前景广阔。
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对资料记录应用来说,铁电记忆体 (FeRAM)、磁性记忆体 (MRAM) 和相变化记忆体 (PCM) 是极具吸引力的 NVM 储存技术。 尤其是 PCM 集 EEPROM 的 .
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该公司正在同东芝共同开发下一代低耗电量内存的强电介质内存（FeRAM）及面向下一代手机的系统LSI。“现在虽然还没有开始，不过两公司将共同开发DRAM，双方在技术方面的共同点很多”（东芝），可见两家...
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For fabricating the nonvolatile ferroelectric memories (FERAM), one of the keys is to make the integrated ferroelectric capacitors.
在铁电不挥发存储器(FERAM)技术中，集成铁电电容的制备是关键工艺之一。
More than 200 times faster to access than flash memory, FeRAM is a type of nonvolatile memory that has many possibilities for use as next-generation semiconductor memory.
铁电存储器的存储速度比闪存的存储速度快200多倍，是一种极有可能成为下一代半导体存储器的非易失性存储器。
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