文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性.从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响.
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...4，可制备高密度、大容量铁电动态随机存取存储器 （FEDRAM）；用它作半导体场效应管栅极介质能制得铁电存储场效应器件（FEMFET）； 利用其强的压电性能可以制成MEMS器件、压力传感器、超声换能器和声表面波器件 （SAW）；利用其强的电光效应和铁电性，可以研制...
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栅介质中制备的铁电存储器场效应的晶体管（FEMFET）的共聚物P（VDF-TrFE）分子呈现。旋涂的共聚物膜具有半结晶结构的退火后，在该晶粒包含铁电体，顺电相。
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