...年 收藏 | 手机打开 手机客户端打开本文 铁电薄膜器件的电学性能模拟及失效行为研究 孙静 【摘要】：用铁电场效应晶体管(FeFET)作为存储单元的铁电存储器，具有结构简单、难以挥发、功耗很低、非破坏性读出、可多次反复读写、可高速大密度存取、抵抗辐射性能...
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...能够找出三种全新的嵌入式内存概念：直接穿透式 RAM、铁电性材料场效应晶体管（ferroelectric field-effect transistor，FeFET）、与采用硅绝缘体（silicon-on-insulator，SOI）基板，或可能采用3D FinFE...
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